报告题目：关联电子体系中竞争电子序的高压调控

报告人：孙建平 中国科学院物理研究所

报告时间：2022-05-31 上午10：00

腾讯会议：581-221-488

报告人简介

孙建平，中国科学院物理研究所-极端条件物理实验室-副研究员，2018年博士毕业于中国科学院物理研究所，同年获得博士后创新人才计划支持在物理所继续从事博士后研究，2020年入职中科院物理所极端条件物理实验室EX6组。主要研究方向是高压极端条件下的新材料和奇异物性探索，包括非常规超导体、巡游磁性材料体系以及拓扑电子材料体系等。目前已在Phys. Rev. Lett.、Phys. Rev. X、Nat. Commun.、PNAS等期刊合作发表学术论文60余篇。

报告摘要

压力作为平行于温度的基本热力学参量，是探索和发现新奇物理现象卓有成效的调控手段，因为高压可以有效调控电子的电荷、自旋、轨道以及与晶格之间的耦合，进一步会诱导电子自旋态、能带结构或者晶体结构的改变。通过原位的高压物性测量，尤其是将高压与低温及磁场等综合极端条件相结合，可以进一步调控研究强关联电子体系中丰富的奇异量子有序态和关联演生现象。由于高压调控原则上不引入晶格无序和额外载流子，而且能够连续变化，因此，被认为是一种“干净且精细“的调控手段。在报告中，首先简要介绍高压调控的意义和目前常用的高压物性测量技术，然后重点介绍我们最近利用立方六面砧高压装置调控关联电子体系中竞争电子序的研究进展，主要包括：最近发现了首个三元锰基化合物超导体系AMn6Bi5 (A = K, Rb)，其最高Tc接近10 K，比MnP高近一个数量级；在反铁磁半导体EuTe2中发现了压力诱导的与反铁磁序共存的非常规的超导态，并且其展现出了相对于泡利顺磁极限较大的上临界场；首次在无限层Ni氧化物超导薄膜Pr0.92Sr0.18NiO2中观测到正的压力效应，并将其超导Tc提高至30K以上。